| તકનીકી પરિમાણો | ઉત્પાદનો વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે | મોડલ | સરેરાશ કણોનું કદ (એનએમ) | શુદ્ધતા (%) | ચોક્કસ સપાટી વિસ્તાર (મી2/ જી) | બલ્ક ઘનતા (g/cm3) | પોલીમોર્ફ્સ | રંગ | | નેનોસ્કેલ | DK-TiC-001 | 50 | > 99.9 | 38.7 | 0.12 | ક્યુબ | કાળો | | સબમાઇક્રોન | DK-TiC-002 | 200 | > 99.8 | 10.5 | 1.18 | ક્યુબ | કાળો |
ની મુખ્ય લાક્ષણિકતાઓનેનો-ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ, ખાસ પ્રક્રિયા પદ્ધતિ દ્વારા તૈયાર કરવામાં આવેલ અલ્ટ્રા-ફાઇન ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ પાવડર, ઉચ્ચ શુદ્ધતા, નાના કણોના કદની વિતરણ શ્રેણી, ઉચ્ચ વિશિષ્ટ સપાટી વિસ્તાર, ઉચ્ચ સપાટીની પ્રવૃત્તિ, ઉચ્ચ તાપમાન, એન્ટિ-ઓક્સિડેશન, એક સારી પ્રત્યાવર્તન-પ્રતિરોધક ગ્રાઇન્ડીંગ છે. સામગ્રી, કાર્બાઇડ પર વ્યાપકપણે લાગુ પડે છે, ઉપર સુપરહાર્ડ સામગ્રી પહેરો;ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ લગભગ 32 ℃ નું ગલનબિંદુ, કાર્બાઇડ ઘટકો, ઉચ્ચ કઠિનતા સાથે, કાટ પ્રતિકાર, સારી થર્મલ સ્થિરતા, વસ્ત્રો-પ્રતિરોધક સામગ્રી, કટીંગ ટૂલ્સ, મોલ્ડ, ગલન મેટલ ક્રુસિબલ્સ અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં વપરાય છે;કારણ કે કણોનું કદ નાનું હોય છે અને તેથી તેની સપાટીની પ્રવૃત્તિ ઊંચી હોય છે, સારી વિદ્યુત વાહકતા, રાસાયણિક જડતા અને ઉત્તમ કામગીરી તેમજ આયર્ન અને સ્ટીલ ધાતુઓ સાથે;નેનો-ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડનો દસ હજારમો ઉમેરો ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ સિરામિક સિન્ટરિંગ 200 ડિગ્રી તાપમાન ઘટાડી શકે છે, અને સિરામિક અનાજને શુદ્ધ કરી શકાય છે અને સિરામિક સિન્ટરિંગ પ્રક્રિયાને સુધારી શકે છે;નેનો-ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ સિરામિક સામગ્રી તરીકે મેટલ, સિરામિક મેટ્રિક્સ સામગ્રી અને વાહક ગુણધર્મોના યાંત્રિક ગુણધર્મોને સુધારવા માટે પ્રબલિત.
અરજીઓ
એરોસ્પેસ ઘટકોમાં વપરાતા 1 nm ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ: ZrC ના પ્રત્યાવર્તન નેનો-કાર્બાઇડ TiC ને ધ્યાનમાં લેતા 3000 ℃ ઉપર ગલનબિંદુ ધરાવે છે, સારી ઉચ્ચ તાપમાન શક્તિ સાથે, અને ટંગસ્ટન સાથે સારી સુસંગતતા, થર્મલ વિસ્તરણના સમાન ગુણાંક સાથે, અને તેનાથી વધુ છે. ઘણી ઓછી ઘનતા પર ટંગસ્ટન.ધીમે ધીમે વધતા તાપમાન સાથે TiCp/w અને ZrCp/w સંયુક્ત તાકાતની નેનો.અનુક્રમે 1000 ℃ અને 800 ℃ પર TiCp/w અને ZrCp/w ના નેનો, સંબંધિત ઓરડાના તાપમાનની તીવ્રતાની તુલનામાં સૌથી વધુ તાકાત નોંધપાત્ર રીતે વધી હતી. પછી તાપમાન સતત વધતું જાય છે, તીવ્રતામાં ઘટાડો થાય છે.આ વિચિત્ર ઉચ્ચ તાપમાન શક્તિના સંયોજનો, પ્લાસ્ટિક માટે બરડતા રૂપાંતરણને સુધારવા માટે તાપમાન સાથે ડબલ્યુ બેઝ બોડી, ઉચ્ચ તાપમાનના પ્લાસ્ટિક ડબલ્યુ-આધારિત શરીરની ઉન્નત ભૂમિકા સાથે નેનો-TiC અને ZrC કણોને વધુ નોંધપાત્ર બનાવે છે, પરિણામે ઉત્તમ સંયુક્ત સામગ્રીની ઉચ્ચ તાપમાન શક્તિ નેનો-ટીઆઈસી કણો નોનસ્ટોઈકિયોમેટ્રિક નેનો ઝેડઆરસી કણો ડબલ્યુ સબસ્ટ્રેટમાં વધુ સારી રીતે ઉચ્ચ-તાપમાન વૃદ્ધિ છે;
2 nm ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ સિરામિક ફોમ: પ્રવાહી સમાવિષ્ટોમાં ફિલ્ટર તરીકે સિરામિક ફીણને અસરકારક રીતે દૂર કરી શકાય છે ફિલ્ટરિંગ મિકેનિઝમ હલાવવામાં આવે છે અને શોષણ થાય છે.ફિલ્ટરને સામગ્રીની રાસાયણિક સ્થિરતાની જરૂર હોય છે, ખાસ કરીને ધાતુશાસ્ત્ર ઉદ્યોગમાં ઉચ્ચ ગલનબિંદુની ફિલ્ટર આવશ્યકતાઓનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, અને તેથી મોટાભાગની આવી સામગ્રી ઓક્સાઇડ માટે, અને ધાતુના ઓગળવાના ગાળણને અનુકૂલિત કરવા માટે, મુખ્યત્વે ધાતુના ગલનબિંદુનો ઉપયોગ કરે છે. થર્મલ શોક પ્રતિકારમાં સુધારો.નેનો ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ સિરામિક ફોમ ઓક્સાઇડ સિરામિક ફીણ કરતાં વધુ મજબૂતાઈ, કઠિનતા, થર્મલ વાહકતા, વિદ્યુત વાહકતા અને ગરમી અને કાટ પ્રતિકાર ધરાવે છે;
કટીંગ ટૂલ્સ, મોલ્ડ, મેલ્ટિંગ મેટલ ક્રુસિબલ્સ અને અન્ય પારદર્શક ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ સિરામિક્સ અને ઓપ્ટિકલ સામગ્રીના ઘણા ક્ષેત્રોમાં વસ્ત્રો-પ્રતિરોધક સામગ્રીના ઉત્પાદનમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે;ઘર્ષક અને ઘર્ષક ઉદ્યોગનું ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ ઘર્ષક એ એલ્યુમિનિયમ ઓક્સાઇડ, સિલિકોન કાર્બાઇડ, બોરોન કાર્બાઇડ, ક્રોમિયમ ઓક્સાઇડની આદર્શ સામગ્રી અને અન્ય પરંપરાગત ઘર્ષક સામગ્રીનો વિકલ્પ છે;કૃત્રિમ હીરા સાથે તુલનાત્મક નેનો-ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ ગ્રાઇન્ડીંગ, યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સ, જાપાન, રશિયા અને અન્ય દેશોમાં મોટા પ્રમાણમાં ખર્ચ ઘટાડે છે.નેનો ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ સામગ્રી, ઘર્ષક, ગ્રાઇન્ડીંગ વ્હીલ્સ અને ગ્રાઇન્ડીંગ મલમ ઉત્પાદનો ગ્રાઇન્ડીંગ કાર્યક્ષમતામાં મોટા પ્રમાણમાં સુધારો કરી શકે છે, અને ગ્રાઇન્ડીંગની ચોકસાઈ અને સપાટીની પૂર્ણાહુતિમાં સુધારો કરી શકે છે.
પાવડર ધાતુશાસ્ત્રનું 4 ક્ષેત્ર: સિરામિક્સના પાવડર ધાતુશાસ્ત્રના ઉત્પાદન માટે નેનો-ટાઈટેનિયમ કાર્બાઈડ પાવડર, કાચા માલના કાર્બાઈડ ભાગો, જેમ કે વાયર ડ્રોઈંગ ડાઈઝ, કાર્બાઈડ ડાઈઝ વગેરે.નેનો ટાઇટેનિયમ કાર્બાઇડ આધારિત સિમેન્ટેડ કાર્બાઇડ નીચેની લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે: (1) ઉચ્ચ કઠિનતા, સામાન્ય રીતે ઉપરના HRA90 સુધી;(2) વસ્ત્રો પ્રતિકાર, નીચા વસ્ત્રો દર;(3) ઉચ્ચ તાપમાન અને એન્ટીઑકિસડન્ટ ક્ષમતા;(4) સારી થર્મલ વાહકતા, સારી રાસાયણિક સ્થિરતા.
|
